Prevodová charakteristika CMOS invertoru: Rozdiel medzi revíziami
Skočit na navigaci
Skočit na vyhledávání
| Riadok 1: | Riadok 1: | ||
__NOTOC__ | __NOTOC__ | ||
[[Category:Simulácie a modelovanie]] | [[Category:Simulácie a modelovanie]] | ||
| − | Príklad ukazuje jednosmernú DC analýzu CMOS<ref>http://en.wikipedia.org/wiki/CMOS</ref> invertoru. Prevodová charakteristika je definovaná ako závislosť výstupného napätia obvodu V<sub>out</sub> od vstupného napätia V<sub>in</sub>. Pri výpočte prevodovej charakteristiky meníme hodnota V<sub>1</sub> v intervale <0V...5V>. | + | Príklad ukazuje jednosmernú DC analýzu CMOS<ref>http://en.wikipedia.org/wiki/CMOS</ref> invertoru. Prevodová charakteristika je definovaná ako závislosť výstupného napätia obvodu V<sub>out</sub> od vstupného napätia V<sub>in</sub>. Pri výpočte prevodovej charakteristiky meníme hodnota V<sub>1</sub> v intervale <0V...5V>. Tranzistory M<sub>1</sub> a M<sub>2</sub> sú generické MOS tranzistory [[Nmos | nmos]] a [[Pmos | pmos]] simulátora SPICE. |
<center> | <center> | ||
{|class="wikitable" | {|class="wikitable" | ||
Verzia zo dňa a času 15:53, 14. marec 2010
Príklad ukazuje jednosmernú DC analýzu CMOS[1] invertoru. Prevodová charakteristika je definovaná ako závislosť výstupného napätia obvodu Vout od vstupného napätia Vin. Pri výpočte prevodovej charakteristiky meníme hodnota V1 v intervale <0V...5V>. Tranzistory M1 a M2 sú generické MOS tranzistory nmos a pmos simulátora SPICE.
|
| Zapojenie obvodu[2][3] |
V simulácii bol na zobrazenie prevodovej charakteristiky použitý komponent plot_xy.
|
| Výsledok simulácie |
Úlohy
- Z grafu prevodovej charakteristiky určite hranice logických úrovní H a L. Porovnajte hodnoty s výsledkami simulácie TTL invertoru.
